場效應管簡介
在了解大電流場效應管型號之前，我們來了解一下場效應管知識，它主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
場效應管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，并以此命名。
由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。
大電流場效應管的作用
1.場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2.場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。
3.場效應管可以用作可變電阻。
4.場效應管可以方便地用作恒流源。
5.場效應管可以用作電子開關。
大電流場效應管應用
1、交流/直流電源的同步整流
2、直流電機驅動
3、逆變器
4、電池充電器和電池保護電路
5、36V-96V系統中的馬達控制
6、隔離的直流-直流轉換器
7、不間斷電源
大電流場效應管型號
大電流場效應管擴展知識
由于功率MOSFET熱穩定性好，故比雙極型晶體管并聯連接簡單。可是并聯連接MOSFET用于高速開關則末必簡單，從現象看并聯連接會發生以下兩個問題：
1） 電流會集中某一個器件中。
2 ） 寄生振蕩。
并聯連接方面的問題
參數
Lo：柵、導線電感
LD：漏、導線電感
LS：源、導線電感
Cmi：密勒電容
CGS：柵、源間電源
ra：柵、電阻（多晶硅）
（1）電流會集到某一個器件中
這是由于并聯連接的器件中的某一個器件早于或遲于其它器件導通或斷開而引起的。導通、斷開的時刻差異是由于器件間的閾值電壓和正向傳輸導納等參數的差別而引起。圖1表明把具有不同VGS（th）和 g.f .s 的功率MOSFET并聯銜接時發生電流不平衡的一個比如。
驅動級的輸出阻抗大的時候，電流不平衡的發生時刻由功率MOSFET的輸入電容Ciss而決議。另外，并聯連接的全部器件導通之后，流到各器件的電流與Rds（on）成反比 。
( 2 ） 寄生振蕩
如把功率MOSFET的柵極直接并聯銜接，就常常發生寄生振蕩。如圖2所示，經過各個器件的漏、柵間電容（ 密勒電容 ）和柵極引線電感構成諧振電路 。關于這個諧振電路的Q，也即電抗器 （ L 、C ） 對電阻之比 （Q = i∞/ R ） 非常大，簡單發生寄生振蕩。
從以下兩個方面采取辦法 ：
1)器材的挑選
2)裝置上的考慮
并聯連接及辦法
( 1） 把功率MOSFET用作開關器件時，無須過于慎重考慮，由于功率MOSFET的最大脈沖電流允許為直流額定值的 3-4倍，只需極力縮小驅動級的輸出阻抗就行．把功率MOSFET用在線性電路時，只挑選同一批產品是不行的 ，與雙極型晶體管一樣外加源電阻使之平衡是很有必要的．
( 2 ）裝置辦法
選用低電感布線是當然的，但在并聯連接中僅用銅板是不行的 ，由于因公共阻擾發生的 電壓使柵、源間電壓不能平衡，為了防止這點，并聯連接的各個器件應是徹底持平的布線，應如圖3那樣用對稱的布線 ，但因裝置上的約束，不行能用對稱布錢時，這時同軸的（多股絞合線、帶狀線 ） 布線也是很有用的。如圖4那樣，經過薄的絕緣膜把銅板制成的漏和源的布線。
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