MOS晶體管的源極與基底等電位，由于Ubs=0，所以小信號等效電路能夠簡化成圖2.4那樣。由于漏極電導(dǎo)的倒數(shù)就是輸出電阻ro，所以能夠表示為ro＝l/gd。輸出電阻ro也好，漏極電導(dǎo)gd也好，它們經(jīng)常呈現(xiàn)在小信號解析中。
圖2.2和圖2，4所示的小信號等效電路不只適用于NMOS晶體管，也適用于PMOS晶體管。但是需求留意的是，這個小信號等效電路中，當小信號電壓Vgs增加時，小信號電流id增加的方向是從漏極指向源極的方向。所以關(guān)于PMOS的小信號等效電路，運用圖2.5和圖2.6所示的電路停止闡明。圖2.5和圖2.6中，當Vsg（或者Vsb）增加時，從源極流向漏極的小信號電流id增加。
MOS晶體管中存在寄生電容。思索到寄生電容的MOS晶體管的等效電路如圖2.7所示。在討論高頻特性時，運用這種加上了電容成分的模型，這也使人工計算停止解析變得復(fù)雜。在SPICE之類的電路模仿中，運用含有這些寄生電容成分的器件模型停止計算。
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