碳化硅（SiC）是一種高性能的半導(dǎo)體材料，基于SiC的肖特基二極管在高頻、高電壓、大功率、耐高溫、抗輻射等方面具有巨大的應(yīng)用潛力，可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限，成為下一代電力電子元器件。
眾所周知，肖特基二極管是通過金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種金屬-半導(dǎo)體器件。與Si和GaAs器件相比，SiC肖特基二極管的其他品質(zhì)都優(yōu)于Si和GaAs器件。
SiC肖特基二極管展示圖
目前，銷售中的SiC肖特基二極管的反向阻斷電壓達(dá)1200V，額定電流達(dá)20A以上。研發(fā)方面，SiC肖特基二極管的阻斷電壓超過了10000V，大電流器件通態(tài)電流達(dá)130A。
面向太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV/HEV）充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等應(yīng)用，安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前推出了系列650V碳化硅（SiC）肖特基二極管產(chǎn)品，均具有零反向恢復(fù)、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容量和正溫度系數(shù)，可提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實(shí)現(xiàn)器件并聯(lián)。
這些650V電子元器件提供的系統(tǒng)優(yōu)勢包括更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向電壓（VF）及SiC二極管的無反向恢復(fù)電荷能減少功率損耗，因而提高能效。SiC二極管更快的恢復(fù)速度令開關(guān)速度更高，因此可以縮減磁性元件和其他無源元件的尺寸，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更小的整體電路設(shè)計(jì)。
SiC肖特基二極管結(jié)構(gòu)圖
結(jié)構(gòu)上，安森美半導(dǎo)體的SiC肖特基二極管具有獨(dú)特的專利終端結(jié)構(gòu)，加強(qiáng)可靠性并提升穩(wěn)定性和耐用性。此外，二極管提供更高的雪崩能量、業(yè)界最高的非箝位感應(yīng)開關(guān)（UIS）能力和最低的電流泄漏。
應(yīng)用上，這些SiC高壓二極管可承受更高的浪涌電流，并在-55至+175°C的工作溫度范圍內(nèi)提供穩(wěn)定性，可提供DPAK、TO-220和TO-247封裝。
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