功率MOS管參數-Vdss溫度特性分析

由圖可知MOSFET-Vdss耐壓隨溫度升高而增加。 為什么MSOFET的VDS耐壓隨溫度升高而增加，即呈現正溫度系數呢？

這是半導體硅材料的特性所決定的！MOS管是單子導電機理！載流子只有電子，溫度升高，溝道電阻增加，電子遷移減少，電流變小！故耐壓會增加！MOS管是單子導電機理！載流子只有電子，溝道夾斷，電子無法通過溝道導通，單外延層中低參雜PN結中的電子遷移很小，溫度升高，這種飄移電流變小！故其反向截止的損耗減小，雪崩能量增加，耐壓也增加！當然在這里要做一下分類，其實半導體材料在溫度升高時，其內能是增加的，即電子的活性是增加的，單就PN結在反向截止是存在一個耗盡區(qū)，這個耗盡區(qū)的寬度和載流子的活性決定了耐壓！這個耐壓和參雜程度，PN界面形狀，界面面積都有關！所以不同的參雜程度，不同的界面形狀，界面面積就可以造就不同耐壓，不同電流，不同性能的器件，如二極管，穩(wěn)壓管，包括MOS管，僅就MOS管，其不同的界面形狀就造就了平面管，溝槽管，超深工藝的超極管！功率MOS管參數

為什么二極管的反向耐壓是隨溫度變高而降低了，MOSFET-Vdss耐壓是溫度升高而增加呢？

兩種器件的導電機理是不一樣的！二極管是雙子導電，是空穴和電子同時遷移產生電流！二極管的反向漏電流是隨溫度上升而增加的！故溫度越高反向漏電流越大，損耗迅速增加最后雪崩擊穿！MOS管是單子導電機理！載流子只有電子，溫度升高，溝道電阻增加，電子遷移減少，電流變小！故耐壓會增加！故雙極型器件（雙子載流）的反向漏電流要比MOS型器件大！
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