MOS管、三極管-電平轉(zhuǎn)換電路分析
電平轉(zhuǎn)換電路在電路設(shè)計(jì)中會(huì)經(jīng)常用到，市面上也有專用的電平轉(zhuǎn)換芯片，專用的電平轉(zhuǎn)換芯片主要是其轉(zhuǎn)換速度較快，多使用在速度較高的通訊接口，一般對(duì)速度要求不高的控制電路，則可使用此文介紹的分立器件搭建的電平轉(zhuǎn)換電路。
1、NPN三極管
下圖使用NPN三極管搭建的電平轉(zhuǎn)化電路屬于單向的電平轉(zhuǎn)換
信號(hào)發(fā)生器：3.3V，10k，50%，方波
注意事項(xiàng)：
（1）該電路的信號(hào)只能單向傳輸，b→c。也可以使用NPN三極管+二極管模擬一個(gè)NMOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)雙向傳輸，但 一般不會(huì)這樣使用，故此處不做介紹；
（2）輸入輸出為反向，可通過(guò)兩個(gè)三極管解決反向的問(wèn)題，但會(huì)影響整體電路的延時(shí)和轉(zhuǎn)換速度；
（3）三極管所能達(dá)到的開(kāi)關(guān)速度約為幾十khz，下次補(bǔ)上實(shí)際的測(cè)試數(shù)據(jù)。
備注：該電路所能達(dá)到的轉(zhuǎn)換速度主要由三極管的導(dǎo)通延時(shí)和c極的放電回路所產(chǎn)生的延時(shí)、三極管的斷開(kāi)延時(shí)和c極的充電回路所產(chǎn)生的延時(shí)產(chǎn)生。三極管一般不存在導(dǎo)通延時(shí)，且ce導(dǎo)通時(shí)，ce本身就是“非常好”的放電回路，故放電回路也不會(huì)存在延時(shí)問(wèn)題，即導(dǎo)通期間幾乎不存在延時(shí)。
三極管斷開(kāi)時(shí)會(huì)存在延時(shí)，一般為us級(jí)別，不同型號(hào)具體參數(shù)也不同，且斷開(kāi)時(shí)，c極需要充電，即R2、Cce的充電回路也會(huì)產(chǎn)生延時(shí)，此延時(shí)一般取3個(gè)\tau的延時(shí)，故斷開(kāi)期間的總延時(shí)為Toff + 3R2 * Cce = Toff + 3\tau，對(duì)于一般應(yīng)用而言，斷開(kāi)期間的總延時(shí)需要小于1/3的時(shí)間長(zhǎng)度。
即Toff + 3\tau ＜ 1/3 * 1/2T，故T ＞ 6（Toff + 3\tau）。故理論上最大的轉(zhuǎn)換頻率為f ＜1/{6(Toff + 3\tau)}。Toff和Cce可通過(guò)三極管規(guī)格書查閱，R2為設(shè)計(jì)參數(shù)。
圖3中的T1-T2即為三極管的斷開(kāi)延時(shí)，此仿真數(shù)據(jù)為383ns。
上述理論頻率是基于兩個(gè)前提條件：1、50%占空比；2、斷開(kāi)期間的總延時(shí)需要小于1/3的時(shí)間長(zhǎng)度。
2、NMOS管
下圖使用NMOS管搭建的電平轉(zhuǎn)化電路屬于雙向的電平轉(zhuǎn)換
信號(hào)發(fā)生器：3.3V，10k，50%，方波（圖5）；5.0V，10k，50%，方波（圖7）
原理分析：
（1）S→D方向
S為低電平時(shí)，Vgs導(dǎo)通，故漏極D為低電平；此處需要注意電路是否滿足Vgs的導(dǎo)通電壓
S為高電平時(shí)，Vgs截止，故漏極D由于VCC1的上拉而為高電平。
（2）D→S方向
D為低電平時(shí)，存在VCC、R2、NMOS的體二極管回路，故源極S為低電平；二極管壓降大小和流過(guò)的電流相關(guān)
D為高電平時(shí)，上述回路不存在，故源極S由于VCC的上拉而為高電平。
注意事項(xiàng)：
（1）VCC1 ＞ VCC - 0.7，否則在D→S傳輸高電平時(shí)會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，即Vs = VCC1+ 0.7，此時(shí)的Vs < VCC；
（2）需要注意MOS管的Vgs導(dǎo)通電壓，一般涉及到1.8V的電路需要注意器件選型；
（3）MOS管所能達(dá)到的開(kāi)關(guān)速度約為100khz左右（需要將R1改為0Ω），下次補(bǔ)上實(shí)際的測(cè)試數(shù)據(jù)；
（4）PMOS管只能實(shí)現(xiàn)單向的電平轉(zhuǎn)換，不能雙向。
備注：D→S方向，源極的高電平會(huì)出現(xiàn)5.0V的峰值（圖7），因?yàn)閐s之間存在寄生電容，所以d級(jí)電平快速的從0變?yōu)?.0V時(shí)，存在電荷泵現(xiàn)象（電容兩端的電壓不能突變），導(dǎo)致s級(jí)的電壓直接泵到5.0V，但馬上會(huì)通過(guò)R2、VCC將多余的電壓釋放掉。
若將信號(hào)發(fā)生器XFG1的上升時(shí)間設(shè)置為1us（默認(rèn)為1ps）,則幾乎不存在5.0V峰值，因?yàn)榇藭r(shí)s級(jí)在泵到5.0V的過(guò)程中就已經(jīng)同時(shí)通過(guò)R2、VCC泄放電壓了。
將R1改為0Ω便解決了電荷泵的峰值問(wèn)題，且開(kāi)關(guān)速度能大幅提高，達(dá)到100k左右，因?yàn)榇藭r(shí)的R1*Cgs的延時(shí)變小了，MOS管開(kāi)關(guān)速度變快了。MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)型，R1改為0Ω不會(huì)存在什么問(wèn)題。
圖4 S→D
圖5 S→D仿真數(shù)據(jù)
圖6 D→S
圖7 D→S仿真數(shù)據(jù)
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