下面的這個(gè)電路。
2 個(gè) PMOS 并聯(lián)
電路描述：Q3 是三極管，Q1 和 Q2 是 PMOS 管，左右兩邊的+12V 是輸入，VIN 是輸出，用來給模塊供電，PHONE_POWER 是控制信號(hào)。
電路邏輯：PHONE_POWER 輸出高電平時(shí)，Q3 導(dǎo)通，Q1 和 Q2 導(dǎo)通，VIN=+12V；PHONE_POWER 輸出低電平時(shí)，Q3 截止，Q 和 Q2 截止，VIN=0V；
所以看起來這個(gè)電路很簡單，問：為什么用兩個(gè) PMOS，Q1 和 Q2，用一個(gè) PMOS 是不是也可以？
懂得人一看就知道了，Q1 和 Q2 導(dǎo)通時(shí)，左右兩邊 12V 并聯(lián)增加電流，為的是提高 VIN 的帶載能力，或者換個(gè)說法是：VIN 負(fù)載電流比較大，用兩個(gè) PMOS 管分流。
舉個(gè)例子：如果 VIN 負(fù)載最大電流為 1A，用一個(gè) PMOS 管，電流都會(huì)加在這個(gè) MOS 管的 DS 上，選型時(shí) PMOS 的 IDS 電流至少得 1A 以上；如果用兩個(gè) PMOS，每個(gè) PMOS 管的 IDS 電流是不是在 0.5A 以上即可。
所以這么設(shè)計(jì)的目的是為了節(jié)省成本，可能 1 個(gè) IDS=1A 電流的管子比 2 個(gè) IDS=0.5A 的管子貴。
問題來了，流過 Q1 和 Q2 的電流都是 0.5A 嗎？
如果流過 Q1 的電流是 0.6A，流過 Q2 的電流是 0.4A，那 Q1 過流發(fā)熱不就燒壞了？可能有人說了 Q1 燒壞了，還有 Q2，難道 Q2 不會(huì)再燒壞嗎？答案是 Q2 肯定會(huì)壞。
那有人說了，Q1 和 Q2 用同樣型號(hào)的 PMOS 管不就行了，這樣兩個(gè)管子的 Rdson（導(dǎo)通內(nèi)阻）一樣，流過的電流肯定也一樣。
但是實(shí)際上，因?yàn)橹圃旃に嚨挠绊?，同一型?hào)同一批次的兩個(gè)管子，Rdson 和其他參數(shù)不可能做到完全一樣。
看到這里你可能覺得很有道理，就算用一樣的型號(hào)，流過兩個(gè) MOS 管的電流也不一樣！那是不是這個(gè)電路就無法使用了？
上述電路可以使用，使用時(shí)需要注意的點(diǎn)：
第 1：Q1 和 Q2 最好用同一型號(hào)，且 IDS 需要留有一定的余量，負(fù)載電流如果最大 1A，兩個(gè) PMOS 的 IDS 可以選擇 0.6~0.7A 左右，這樣就有 200mA~400mA 的余量。
第 2：這一點(diǎn)非常重要，這也是我沒有想到的，被一位大佬一語點(diǎn)醒，這個(gè)電路可以實(shí)現(xiàn)「均流」，什么叫均流，也就是流過 Q1 和 Q2 的電流肯定是一樣的。
流過 Q1 和 Q2 的電流大小取決于 Rdson 參數(shù)。
第 1 點(diǎn)已經(jīng)說了，Q1 和 Q2 使用同一型號(hào)的管子，可能因?yàn)橹圃旃に囉绊懀僭O(shè) Q1 的 Rdson 比 Q2 的 Rdson 小，那么流過 Q1 的電流會(huì)比流過 Q2 的電流大。
但是有一點(diǎn)我們需要注意，MOS 管的導(dǎo)通內(nèi)阻和溫度是呈正系數(shù)關(guān)系，也就是說隨著溫度的升高，內(nèi)阻會(huì)變大，因?yàn)榱鬟^ Q1 的電流比 Q2 大，所以 Q1 的溫升肯定比 Q2 高，這時(shí)候 Q1 的內(nèi)阻會(huì)變大，內(nèi)阻變大帶來的效果是流過 Q1 的電流又會(huì)變小，這不是個(gè)完整的負(fù)反饋嗎，完美的實(shí)現(xiàn)了均流。
2 個(gè) PMOS 串聯(lián)
如果說上面的是兩個(gè) MOS 管并聯(lián)，下面這個(gè)圖是兩個(gè) MOS 管串聯(lián)，VIN 是輸入，VOUT 是輸出。
電路邏輯：PHONE_POWER 輸出高電平時(shí)，Q3 導(dǎo)通，Q1 和 Q2 導(dǎo)通，VIN=VOUT；PHONE_POWER 輸出低電平時(shí)，Q3 截止，Q 和 Q2 截止，VIN=0V；
電路作用：針對(duì)上面后一點(diǎn)，在 2 個(gè) MOS 管關(guān)閉的情況下，如果調(diào)試需要外接 VOUT，可以防止 VOUT 的電串到 VIN 上面，利用的是 Q1 體二極管反向截止特性（左正右負(fù)）。
如果沒有 Q1，那么 VOUT 直接從 Q2 的體二極管（左負(fù)右正）串電到 VIN 上面。
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