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      stm32復(fù)位電路電容選擇-stm32復(fù)位電路電容作用介紹
      • 發(fā)布時(shí)間:2021-06-10 15:59:30
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      stm32復(fù)位電路電容選擇-stm32復(fù)位電路電容作用介紹
      復(fù)位電路是一種用來使電路恢復(fù)到起始狀態(tài)的電路設(shè)備,它的操作原理與計(jì)算器有著異曲同工之妙,只是啟動(dòng)原理和手段有所不同。復(fù)位電路,就是利用它把電路恢復(fù)到起始狀態(tài)。就像計(jì)算器的清零按鈕的作用一樣,以便回到原始狀態(tài),重新進(jìn)行計(jì)算。
      和計(jì)算器清零按鈕有所不同的是,復(fù)位電路啟動(dòng)的手段有所不同。一是在給電路通電時(shí)馬上進(jìn)行復(fù)位操作;二是在必要時(shí)可以由手動(dòng)操作;三是根據(jù)程序或者電路運(yùn)行的需要自動(dòng)地進(jìn)行。復(fù)位電路都是比較簡(jiǎn)單的大都是只有電阻和電容組合就可以辦到了,再?gòu)?fù)雜點(diǎn)就有三極管等配合程序來進(jìn)行了。
      一、stm32復(fù)位電路電容選擇:
      電容跟電阻的選擇跟復(fù)位時(shí)間長(zhǎng)短有關(guān),一般選擇R為10K,電容為10u或者22u。
      stm32復(fù)位電路電容選擇
      二、stm32復(fù)位電路電容作用:
      電阻的作用不是限制電流的大小,而是控制復(fù)位時(shí)間。電容充電時(shí)間與R C的值成正比。復(fù)位電路中的電容只是在上電那一會(huì)兒起作用,充電瞬間電容有電流流過,所以RST端得到高電平,充電結(jié)束后沒有電流了,則RST端變?yōu)榈碗娖健?晶振電路在單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的電路,電路里一定會(huì)有電源的。讓復(fù)位端電平與電源電平變化不同步讓復(fù)位端電平的上升落后于電源電平的上升,在一小段時(shí)間內(nèi)造成這樣的局面:
      1、電源達(dá)到正常工作電源;
      2、復(fù)位電平低于低電平閾值(被當(dāng)作邏輯0);
      這種狀態(tài)就是復(fù)位狀態(tài)。僅用一個(gè)電阻是不可能同時(shí)實(shí)現(xiàn)這兩條的。復(fù)位,就是提供一個(gè)芯片要求的復(fù)位條件,一般是N個(gè)機(jī)器周期的固定電平。低電平復(fù)位就是芯片可正常工作后保持N個(gè)以上周期的低然后變高即可。高電平復(fù)位就是芯片可正常工作侯保持N個(gè)周期以上的高然后變低即可。
      stm32復(fù)位電路電容選擇
      擴(kuò)展資料:
      單片機(jī)在啟動(dòng)時(shí)都需要復(fù)位,以使CPU及系統(tǒng)各部件處于確定的初始狀態(tài),并從初態(tài)開始工作。89系列單片機(jī)的復(fù)位信號(hào)是從RST引腳輸入到芯片內(nèi)的施密特觸發(fā)器中的。當(dāng)系統(tǒng)處于正常工作狀態(tài)時(shí),且振蕩器穩(wěn)定后,如果RST引腳上有一個(gè)高電平并維持2個(gè)機(jī)器周期(24個(gè)振蕩周期)以上,則CPU就可以響應(yīng)并將系統(tǒng)復(fù)位。單片機(jī)系統(tǒng)的復(fù)位方式有:手動(dòng)按鈕復(fù)位和上電復(fù)位。
      1、手動(dòng)按鈕復(fù)位
      手動(dòng)按鈕復(fù)位需要人為在復(fù)位輸入端RST上加入高電平(圖1)。一般采用的辦法是在RST端和正電源Vcc之間接一個(gè)按鈕。當(dāng)人為按下按鈕時(shí),則Vcc的+5V電平就會(huì)直接加到RST端。手動(dòng)按鈕復(fù)位的電路如所示。由于人的動(dòng)作再快也會(huì)使按鈕保持接通達(dá)數(shù)十毫秒,所以,完全能夠滿足復(fù)位的時(shí)間要求。
      2、上電復(fù)位
      AT89C51的上電復(fù)位電路如圖2所示,只要在RST復(fù)位輸入引腳上接一電容至Vcc端,下接一個(gè)電阻到地即可。對(duì)于CMOS型單片機(jī),由于在RST端內(nèi)部有一個(gè)下拉電阻,故可將外部電阻去掉,而將外接電容減至1uF。上電復(fù)位的工作過程是在加電時(shí),復(fù)位電路通過電 容加給RST端一個(gè)短暫的高電平信號(hào),此高電平信號(hào)隨著Vcc對(duì)電容的充電過程而逐漸回落,即RST端的高電平持續(xù)時(shí)間取決于電容的充電時(shí)間。為了保證系統(tǒng)能夠可靠地復(fù)位,RST端的高電平信號(hào)必須維持足夠長(zhǎng)的時(shí)間。上電時(shí),Vcc的上升時(shí)間約為10ms,而振蕩器的起振時(shí)間取決于振蕩頻率,如晶振頻率為10MHz,起振時(shí)間為1ms;晶振頻率為1MHz,起振時(shí)間則為10ms。在圖2的復(fù)位電路中,當(dāng)Vcc掉電時(shí),必然會(huì)使RST端電壓迅速下降到0V以下,但是,由于內(nèi)部電路的限制作用,這個(gè)負(fù)電壓將不會(huì)對(duì)器件產(chǎn)生損害。另外,在復(fù)位期間,端口引腳處于隨機(jī)狀態(tài),復(fù)位后,系統(tǒng)將端口置為全"l"態(tài)。如果系統(tǒng)在上電時(shí)得不到有效的復(fù)位,則程序計(jì)數(shù)器PC將得不到一個(gè)合適的初值,因此,CPU可能會(huì)從一個(gè)未被定義的位置開始執(zhí)行程序。
      3、積分型上電復(fù)位
      常用的上電或開關(guān)復(fù)位電路如圖3所示。上電后,由于電容C3的充電和反相門的作用,使RST持續(xù)一段時(shí)間的高電平。當(dāng)單片機(jī)已在運(yùn)行當(dāng)中時(shí),按下復(fù)位鍵K后松開,也能使RST為一段時(shí)間的高電平,從而實(shí)現(xiàn)上電或開關(guān)復(fù)位的操作。
      根據(jù)實(shí)際操作的經(jīng)驗(yàn),下面給出這種復(fù)位電路的電容、電阻參考值。
      C=1uF,Rl=lk,R2=10k
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