一、引出
開(kāi)關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過(guò)壓或過(guò)流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸，非常危險(xiǎn)。這里就衍生一個(gè)概念，安全工作區(qū)。
安全工作區(qū)：SOA（Safe operating area）是由一系列（電壓，電流）坐標(biāo)點(diǎn)形成的一個(gè)二維區(qū)域，開(kāi)關(guān)器件正常工作時(shí)的電壓和電流都不會(huì)超過(guò)該區(qū)域。簡(jiǎn)單的講，只要器件工作在SOA區(qū)域內(nèi)就是安全的，超過(guò)這個(gè)區(qū)域就存在危險(xiǎn)。
二、與SOA有關(guān)的參數(shù)
1、VDS（Drain-source voltage）：漏源電壓標(biāo)稱(chēng)值，反應(yīng)的是漏源極能承受的最大的電壓值；
2、IDM（Drain current(pulsed)）：漏源最大單脈沖電流（非重復(fù)脈沖），反應(yīng)的是漏源極可承受的單次脈沖電流強(qiáng)度。
3、Rds(on)：MOS管源極與漏極之間的導(dǎo)通電阻。
三、SOA介紹
如上圖所示就是該MOS的安全工作區(qū)。
最上面的紅色橫線代表了MOS管的最大電流限制IDM，如該MOS管的值為88A。
最右邊的綠色豎線代表了MOS管的最高耐壓值Vds，如該MOS管的值為600V。
左邊的橙色斜線表示，當(dāng)Vds還很小時(shí)，隨著Vds增大，Vds與IDM滿(mǎn)足歐姆定律：VDS = ID · RDS（ON）。因?yàn)樵赩gs與溫度一定的情況下，RDS（ON）近乎于常數(shù)，因此橙色線看起來(lái)像直線。
右邊的藍(lán)色斜線表示了不同的單脈沖寬度下，VDS與IDM的關(guān)系。比如當(dāng)脈沖寬度為10ms時(shí)，如果VDS為200V，那么對(duì)應(yīng)到藍(lán)色斜線上，可以得到IDM大約為1.5A的限制。
四、SOA的測(cè)量
使用電壓探頭測(cè)量MOS管的VDS電壓，電流探頭測(cè)量IDM，如果示波器支持SOA分析功能，就可以進(jìn)行測(cè)試了。
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