1N10場效應管,1N10參數資料,1N10引腳圖,1N10中文資料規格書PDF
1N10/SOT-23封裝參數：點擊查看
1N10場效應管參數具體如下：
極性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：1.5A
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=100℃：1.2A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：1.2W
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=1.5A,VGS=10V：Typ 430mΩ Max 500mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導通電阻ID=1A,VGS=4.5V：Typ 460mΩ Max 550mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
1N10場效應管/SOT-23封裝尺寸：
〈烜芯微/XXW〉專業制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業選用，專業的工程師幫您穩定好每一批產品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯系下方的聯系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
聯系號碼：18923864027
QQ：709211280