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    8. IGBT的驅(qū)動過流保護電路的設計方案介紹
      • 發(fā)布時間:2022-03-10 16:03:53
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      IGBT的驅(qū)動過流保護電路的設計方案介紹
      IGBT因其飽和壓降低和工作頻率高等優(yōu)點而成為大功率開關電源等電力電子裝置的首選功率器件,但IGBT和晶閘管一樣,其抗過載能力不高。因此,如何設計IGBT的驅(qū)動過流保護電路,使之具有完善的驅(qū)動過流保護功能,是設計者必須考慮的問題。
      1、驅(qū)動過流保護電路的驅(qū)動過流保護原則
      IGBT的技術資料表明,IGBT在10μS內(nèi)最大可承受2倍的額定電流,但是經(jīng)常承受過電流會使器件過早老化,故IGBT的驅(qū)動過流保護電路的設計原則為:一、當過電流值小于2倍額定電流值時,可采用瞬時封鎖柵極電壓的方法來實現(xiàn)保護;二、當過電流值大于2倍額定電流值時,由于瞬時封鎖柵極電壓會使di/dt很大,會在主回路中感應出較高的尖峰電壓,故應采用軟關斷方法使柵極電壓在2μS—5μS的時間內(nèi)降至零電壓,至最終為-5伏的反電壓;三、采用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電壓。基于上述思想,驅(qū)動過流保護電路現(xiàn)分為分離元件驅(qū)動過流保護電路和模塊驅(qū)動過流保護電路。
      2、驅(qū)動過流保護電路的設計
      以多電源驅(qū)動過流保護電路為例,分離元件驅(qū)動過流保護電路如圖1。圖1中,T1、T4和T5構成IGBT的驅(qū)動電路,DZ1、T3、D2、C4構成延時降壓電路。T6、555集成電路和光耦LP2構成延時電路。在正常開通時,T1和T4導通,由于D1和R6的作用,B點電路不會超過DZ1擊穿電壓,此時T3截止,D點電位不會下降,延時電路不延時,T2截止。當IGBT流過短路電流時,IGBT的集射極壓降上升,此時C點電位上升,上升時間t1由式(1)求得。
      2.1 分離元件驅(qū)動過流保護電路
      驅(qū)動過流保護電路
      此外,單電源驅(qū)動過流保護電路的原理與上述多電源驅(qū)動過流保護電路類似。
      還應注意:(1)選擇合適的柵極驅(qū)動電壓值;正電壓值一般在12V—15V為宜,12V最佳,反向電壓一般在5V—10V;
      (2)選擇合適的柵極串聯(lián)電阻值,一般選幾歐姆到十幾歐姆;
      (3)選擇合適的柵射極并聯(lián)電阻值或穩(wěn)壓二極管。
      從上述分析可知,分離元件驅(qū)動過流保護電路復雜,但設計靈活。
      驅(qū)動過流保護電路
      2.2 模塊驅(qū)動過流保護電路
      以EXB841系列為例,模塊驅(qū)動過流保護電路如圖2。圖2中,9腳為參考地,2腳電位為20V,1腳電位為5V,當14腳、15腳之間加上高電平驅(qū)動信號時,EXB841中的互補輸出級中的上管導通,IGBT導通;反之,輸入為低電平時,IGBT關斷。EXB841內(nèi)部過流保護電路通過檢測IGBT的集射極電壓Vce來判斷IGBT是否過流,其判斷公式為:
      Vce+V1+VD≥V2(4)
      式(4)中,V1為1腳電位;VD為6腳所接二極管D導通壓降;V2為EXB841內(nèi)部二極管擊穿電壓。如設V1=5V,VD=1V,V2=13V,即Vce=7V時,為過流保護電壓閥值,當Vce<7V時保護電路不工作,其保護功能為:當過流時降低柵射極驅(qū)動電壓,并與慢關斷技術相結合〔11〕。在檢測到短路2μS后,開始降低柵極驅(qū)動電壓,10μS內(nèi)降到OV。在這段時間內(nèi),若短路現(xiàn)象消除,柵極驅(qū)動電壓恢復到正常值;若故障仍存在,則5腳輸出故障信號,通過一定時間的延遲后,IGBT的柵射極電壓最終為-5伏,同時封鎖輸入信號,這樣避免立即停止輸入信號造成硬關斷,產(chǎn)生過電壓擊穿IGBT。其不足之處為:一、負柵壓過低,降低了IGBT的可靠性;二、沒有過流信號鎖定功能,一旦發(fā)生過流故障,并不能在當前工作周期內(nèi)實現(xiàn)延時保護關斷。
      另外,IR系列、M579系列和VC37系列模快驅(qū)動器的原理與EXB841類似,此處不再贅述。
      驅(qū)動過流保護電路
      結語
      以上介紹了幾種IGBT驅(qū)動過流保護電路。分離元件驅(qū)動過流保護電路復雜,但設計靈活、保護功面,模塊驅(qū)動過流保護電路使電路的設計簡化并具備了一定的保護功能,但這些保護功能是有限的,用時,還要考慮擴展其功能。至于實際應用中采用哪一種方法,應視實際情況而言。
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