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    8. MOSFET,關(guān)于MOSFET這些一定要知道
      • 發(fā)布時間:2022-03-26 18:55:27
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      MOSFET,關(guān)于MOSFET這些一定要知道
      MOSFET就是我們俗稱的MOS管,常用的就是用MOS管來做開關(guān)器件。
      我們通常選MOS管會希望其有如下的參數(shù):
      1、耐壓足夠高,避免DS的擊穿。 
      2、導(dǎo)通電流足夠大,保證功率的輸出足夠。
      3、體積小發(fā)熱低,避免過熱損壞器件。
      4、開關(guān)速度要快,因為要經(jīng)過可變電阻區(qū),所以要盡快, 避免過多的發(fā)熱損耗。
      各個參數(shù)介紹:
      一、擊穿電壓
      DS可承受的最大電壓,這個參數(shù)也并不是越大越好,耐壓高的管子,一般通態(tài)電阻也比較大!
      二、導(dǎo)通電流
      Id,持續(xù)漏極電流,通常和通態(tài)電阻有很大關(guān)系。
      三、體積和發(fā)熱
      熱阻:熱量在傳導(dǎo)過程中受到的阻礙作用,用R表示。單位℃/W. 
      我們自然希望熱阻越小越好,那樣熱量就會散發(fā)出去,而避免管子過熱而損壞器件。通常相同參數(shù)的MOS管,體積越大,熱阻就越小,散熱越順利。通常對于MOS管我們還會進行輔助散熱,諸如增大散熱片,線路板面積的鋪銅等措施。
      四、開關(guān)速度
      開關(guān)速度如何處理不好,那么導(dǎo)致對應(yīng)的發(fā)熱可能比通態(tài)電阻造成的發(fā)熱還大!
      究其原因還是因為MOS管不是理想的導(dǎo)通和截止,而是需要一段時間。例如導(dǎo)通,電壓逐漸降低,電流逐漸升高,這段時間內(nèi),電壓和電流都不為0,對應(yīng)就會產(chǎn)生一定的發(fā)熱功率。
      當然如果是長時間持續(xù)的導(dǎo)通或者關(guān)斷的狀態(tài)也倒是無所謂,但是一般MOS管都是出于高速開關(guān)管的狀態(tài)。這時候?qū)?yīng)的損耗就不容小覷了。
      MOSFET MOS管
      1.MOS管的開關(guān)損耗與導(dǎo)通損耗
      通常解決辦法有 零電壓開關(guān)技術(shù)(ZVS)和零電流開關(guān)技術(shù)(ZCS)。
      MOS管原理:
      MOS管是一個柵極電壓控制漏極電流的器件。 
      柵極從外部來看的話可以等效成為一個電容的,控制MOS管的開關(guān)就是電容的充放電。一旦超過開啟電壓(2~4V)再繼續(xù)增加就會進入可變電阻區(qū),繼續(xù)升高就會進入恒流區(qū)。 
      電容兩端的電壓不會突變,升降需要一個過程,這個過程越快也即是開關(guān)速度越快,對應(yīng)的開關(guān)損耗也就越低。
      MOSFET MOS管
      2.柵極充放電等效電路
      常情況下,電流越大,對應(yīng)的柵極電容也就越大也就是說開關(guān)速度慢。但是電流越大,對應(yīng)的功率也就越大,它們是相互制約又相互聯(lián)系的,所以,在參數(shù)選擇上,要做到均衡。
      柵極電阻的作用
      說一千道一萬就是想盡可能高的提高開關(guān)速度,而柵極電阻的存在勢必會影響開關(guān)速度,即電容的充放電速度。那為何還要保留呢?
      MOSFET MOS管
      3.柵極的寄生振蕩
      如果沒有柵極電阻,由于各種雜散參數(shù)的影響,會產(chǎn)生柵極的寄生震蕩。甚至還有嚴重的過沖現(xiàn)象的發(fā)生。
      MOS管內(nèi)部的二極管
      通常在MOS管的DS之間是并有一個二極管的,性能堪比快恢復(fù)二極管。這就是為什么MOS管驅(qū)動感性負載不需要在額外并聯(lián)二極管的原因。
      MOS管驅(qū)動電路
      驅(qū)動電路要求足夠的充放電電流,在高速狀態(tài)下,不能使用上下拉電阻來提供相應(yīng)的高電平和低電平,否則將嚴重降低開關(guān)速度,增加通過可變電阻區(qū)的時間,降低效率。那該怎么辦呢?
      慢開快關(guān)場合驅(qū)動電路
      MOSFET MOS管
      4.簡化后慢開快關(guān)電路
      在避免寄生震蕩的前提下(保留柵極電阻),在柵極電阻上并聯(lián)一個二極管。
      這樣在是低電平的時,可以達到快速截止的效果。
      負壓截止場合驅(qū)動電路
      先來說一下負壓截止的好處
      ①、保證快速截止。由RC充電模型可知,在0~5V的參考區(qū)間內(nèi),-5~12的關(guān)斷速度要遠大于5~12的關(guān)斷速度。
      ②、保證可靠截止。 因為MOS管的GD間有較大的電容存在,因此來自負載的高頻干擾可能通過Cgd在柵極產(chǎn)生感應(yīng)電壓,該電壓可能導(dǎo)致MOS管的誤導(dǎo)通,而負壓截止在一定程度上避免此種情況的發(fā)生。
      一般驅(qū)動電路設(shè)計
      MOSFET MOS管
      5.MOS管驅(qū)動電路參考
      這里有一點不同了,就是那個R2和穩(wěn)壓管。
      Q:R2啥作用?
      A:MOS管柵極輸入阻抗高,在引腳懸空的狀態(tài)下,很容易在柵極形成較高的感應(yīng)電壓而使得管子誤導(dǎo)通,R2的存在可以保證可靠的下拉截止。典型值10K。
      Q:穩(wěn)壓管的作用?
      A:將柵極電位鉗位,避免擊穿柵極電容,造成MOS管的損壞。 
      取值應(yīng)高于驅(qū)動電壓,低于最大承受電壓。
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