使用PWM輸出方式驅(qū)動有刷直流電機：H橋恒流驅(qū)動。
這是有刷直流電機PWM的H橋恒流驅(qū)動電路示例。這是普通的驅(qū)動器電路，可以使用內(nèi)置的比較器進行電機電流的ON/OFF控制，即PWM控制。
連接到功率晶體管（MOSFET）的GND側(cè)（RNF引腳）的電阻Rs是用來檢測電流的電阻。內(nèi)置的比較器會對該Rs產(chǎn)生的電壓與基準電壓設(shè)置引腳（Vref）的電壓進行比較。
當RNF引腳電壓超過Vref電壓時，比較器的輸出變?yōu)長，并會關(guān)斷供給電流的電源側(cè)的功率晶體管。
在供給或停止電流時，晶體管的ON/OFF狀態(tài)會因工作模式（例如正轉(zhuǎn)或反轉(zhuǎn)）而異，但是不管怎樣，都將由Vref、Rs和比較器來負責是否使電流流過電機的切換。
關(guān)斷時間（toff）通過對振蕩器（OSC）頻率進行計數(shù)的方法來設(shè)置，在關(guān)斷期間內(nèi)電流會再生。當過了設(shè)置的關(guān)斷時間時，已關(guān)斷的功率晶體管將再次導(dǎo)通并供給電流。
通過重復(fù)該過程，可以通過以Vref電壓÷Rs值為峰值電流（Ipeak）的恒流控制使電機旋轉(zhuǎn)。右圖是表示電機電流、Rs電流和RNF電壓的波形。
需要注意的是，由于在再生電流流動期間Rs中沒有電流流過，因此在電流重新供給時，Rs中會產(chǎn)生較大的電流變化，可能會因寄生電感而產(chǎn)生產(chǎn)生較大的電壓噪聲，或功率晶體管的寄生電容的充電電流流過并超過Vref電壓。
需要設(shè)置很短的消隱時間（tblnk），來避免功率晶體管因該電壓噪聲而不進行OFF動作。
消隱時間的設(shè)置需要注意不僅要避免電流ON/OFF時的電壓噪聲引發(fā)誤動作，還要避免切換電機旋轉(zhuǎn)狀態(tài)時的電壓噪聲引發(fā)誤動作。消隱時間可以通過驅(qū)動器IC進行優(yōu)化或調(diào)整。
關(guān)鍵要點：
有刷直流電機H橋恒流驅(qū)動的一種方法是使用電流檢測電阻檢測電機電流，并通過比較器將其與基準電壓進行比較的PWM控制方法。
在使用上述方法驅(qū)動有刷直流電機時，由于電流檢測電阻中會產(chǎn)生較大的電流變化，因此可能會產(chǎn)生噪聲電壓并引發(fā)誤動作。
在使用上述方法驅(qū)動有刷直流電機時，有一種通過設(shè)置消隱時間來抑制誤動作的方法。
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