絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）
絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET），我們又稱為MOS管。
絕緣柵場效應(yīng)管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但應(yīng)用最多的是MOS管。MOS絕緣柵場效應(yīng)管也即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)管，通常用MOS表示，簡稱作MOS管。
它具有比結(jié)型場效應(yīng)管更高的輸入阻抗（可達(dá)1012Ω以上），并且制造工藝比較簡單，使用靈活方便，非常有利于高度集成化。
這種MOS管和結(jié)型場效應(yīng)管有類似的地方，那就是它也有兩種類型，一種是N溝道的MOS管，另一種是P溝道的MOS管，按電極數(shù)來分也有柵極G、漏極D和源極S三個(gè)電極。
對(duì)比結(jié)型場效應(yīng)管JFET來說，絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）是利用半導(dǎo)體表面的電場效應(yīng)來工作的，從這個(gè)方面講我們也可以叫它“表面場效應(yīng)管”。
我們從它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以知道，MOS管的柵極G是處于絕緣狀態(tài)的，因此MOS的等效輸入電阻會(huì)更高，要比結(jié)型場效應(yīng)管高出上百萬歐姆的電阻，其結(jié)構(gòu)如下圖所示。
不管是N溝道的還是P溝道的絕緣柵場效應(yīng)管都可分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種，我們所說的耗盡型是指當(dāng)場效應(yīng)管的柵極電壓是零的時(shí)候，即Ugs=0V，這時(shí)候漏極電流Id是不等于零的。
那么增強(qiáng)型是指當(dāng)場效應(yīng)管的柵極電壓是零的時(shí)候，即Ugs=0V，這時(shí)候漏極電流Id也等于零。下面我們分別對(duì)PMOS和NMOS這兩種MOS管進(jìn)行一個(gè)全面的解讀。
1、增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）
雖然增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管有N溝道MOS管和P溝道MOS管，但是這兄弟倆的結(jié)構(gòu)和工作過程是很相似的，
因此下面我舉出平時(shí)用的比較多的一種增強(qiáng)型的NMOS管為例來給朋友們做一下說明，N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)示意圖如下所示。
N溝道增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)示意圖
要使N溝道增強(qiáng)型MOS管工作起來的話首先必須在它的各個(gè)極上添加適合的電壓才行，也就是說要在柵極G和源極S之間加上一個(gè)正電壓，也就是說Ugs要大于零并且要有一定的電壓值，
這時(shí)候漏極D和源極S之間才會(huì)有電流通過的路徑，這個(gè)路徑我們形象地叫它溝道，通過這個(gè)溝道的電流就是Id電流。這個(gè)電流是受場效應(yīng)管的柵極電壓控制的。
這也就是說對(duì)于增強(qiáng)型的MOS管來說，當(dāng)柵極電壓Ugs是零的時(shí)候，漏極D和源極S之間就像斷路一樣無法通過電流，因此也就沒有電流Id了。
當(dāng)柵極電壓Ugs加上一定電壓值的時(shí)候，漏極D和源極S之間就可以通過電流了，并且這個(gè)電流值的大小受到柵極電壓大小的控制。
耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）
2、耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）
耗盡型的MOS管也有N溝道和P溝道之分，下面我們?yōu)榱巳嬲f明問題，現(xiàn)在以N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管為例來說明，
由下面的輸出特性曲線圖可以看到，要使這種類型的管子工作的話就要給它的柵極G加上一個(gè)負(fù)的電壓，這時(shí)漏極D和源極S之間就可以有電流通過。
如果這個(gè)柵極的負(fù)電壓在一定的負(fù)電壓區(qū)域變化時(shí)，那么漏極的電流Id也會(huì)變化了。
3、絕緣柵場效應(yīng)管（MOSFET）的作用
通過我們對(duì)MOS管的全面剖析可以知道場效應(yīng)MOS管是利用電場效應(yīng)來控制電流大小的，由于這種管子可以制作的很小，結(jié)構(gòu)又很簡單，輸入電阻又很大，所以它是優(yōu)先被考慮到用在各種規(guī)模的集成電路里的。
另外如果做成分立元件的話它也可以用在放大電路中作為信號(hào)的放大器件來用。
再者由于它可以工作在較高的頻率，同時(shí)又可以經(jīng)受住較高的電壓沖擊，因此可以作為大功率開關(guān)管來用，類似電子開關(guān)一樣。最后在又的場合還可以作為動(dòng)態(tài)的可變電阻使用。
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