以NMOS為例，測(cè)試NMOS作為開(kāi)關(guān)的電路設(shè)計(jì)。試驗(yàn)用的NOMS為RU75N08，其輸出特性曲線為：
從輸出特性曲線可以看出，只要Vgs大于截止電壓4.5V，DS就可以導(dǎo)通了。測(cè)試時(shí)直接使Vgs=+12V，Vds=+48V，負(fù)載電流最大可達(dá)到50A。
為了方便單片機(jī)控制Vgs，可加一個(gè)三極管進(jìn)行電壓控制，加一個(gè)光耦進(jìn)行電氣隔離，通過(guò)單片機(jī)IO口電平高低來(lái)控制NOMS的通斷。
測(cè)試電路如下：
IN接單片機(jī)IO口，IN為高電平時(shí)，發(fā)光二極體通過(guò)電流而發(fā)光，光敏元件受到光照后產(chǎn)生電流，光耦的NPN導(dǎo)通，PNP三極管Vb拉低，PNP導(dǎo)通，Vgs > 4.5V，NMOS導(dǎo)通，負(fù)載工作；
IN為低電壓時(shí)，光耦不工作，PNP三極管Ve=Vb，PNP截止，Vgs = 0V，NMOS截止，負(fù)載不工作。
可以通過(guò)控制IN實(shí)現(xiàn)NMOS開(kāi)關(guān)作用。
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