MOSFET屬于單極性器件。MOS管，金屬氧化物氧化物場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor FET，簡稱MOS-FET，是應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件，屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。
MOSFET具有多種類型，包括平面型(Planar MOS)、溝槽型(Trench MOS)、超結(jié)(Super Junction MOS)和屏蔽柵(SGT MOS)等。
MOS管是主要有兩種結(jié)構(gòu)形式：N溝道型和P溝道型。
根據(jù)場效應(yīng)原理的不同，分為耗盡型（當(dāng)柵壓為零時有較大漏極電流）和增強(qiáng)型（當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流）兩種。
因此，MOS管可以被制構(gòu)成P溝道增強(qiáng)型、P溝道耗盡型、N溝道增強(qiáng)型、N溝道耗盡型4種類型產(chǎn)品。
一般主板上使用最多的是增強(qiáng)型MOS管，NMOS最多，一般多用在信號控制上，其次是PMOS，多用在電源開關(guān)等方面，耗盡型幾乎不用。
MOS管有三個電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時，對于N溝道的電源輸入為D，輸出為S；P溝道的電源輸入為S，輸出為D；且增強(qiáng)型、耗盡型的接法基本一樣。
由于生產(chǎn)工藝，一般的MOS管會有一個寄生二極管（體二極管）。
NMOS和PMOS寄生二極管方向不一樣，NMOS是由S極→D極，PMOS是由D極→S極。
mosfet原理作用
場效應(yīng)管工作原理簡單來說就是：漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制。
工作原理：
當(dāng)柵極沒有電壓（Ugs=0）時，漏極和源極之間相當(dāng)于兩個背靠背的二極管，不會有電流流過，此時MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)。
當(dāng)在柵極加上正電壓（Ugs>0）時，柵極和襯底之間會形成一個電場。這個電場會吸引襯底中的空穴，同時排斥源極和漏極之間的電子，使得電子聚集在兩個N溝道之間的P型半導(dǎo)體中。
當(dāng)Ugs超過一個閾值（Ugs(th)）時，在源極和漏極之間的N型半導(dǎo)體會形成一個電子溝道，此時如果漏極加有正電壓，就可以形成漏極到源極的電流，MOSFET導(dǎo)通。
閾值電壓：Ugs(th)是使MOSFET從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需的電壓，這個閾值電壓是MOSFET的一個重要參數(shù)，它決定了MOSFET的導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電流。
伏安特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線：MOSFET的伏安特性曲線和轉(zhuǎn)移特性曲線展示了其輸入輸出特性，即漏極電流（Id）與漏源極間電壓（VDS）的關(guān)系，以及柵源極間電壓（Ugs）與漏源極間電流（Id）的關(guān)系。
綜上所述，MOSFET的工作原理是通過柵極電壓來控制漏極和源極之間的電子溝道，從而實(shí)現(xiàn)對電流的控制和調(diào)節(jié)。
MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電子和電路應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，具有開關(guān)和信號放大等功能。
MOS管輸入阻抗高、噪聲低、動態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等，在開關(guān)電源、鎮(zhèn)流器、高頻感應(yīng)加熱、逆變、焊機(jī)、通信電源等高頻電源領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
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