驅(qū)動電路中的誤開通
1、米勒效應引起的誤開通
當 MOSFET 關斷，隨后對管導通時， Vds 電壓（漏極與源極之間所能施加的最大電壓值）快速上升產(chǎn)生高的 dv/dt（開關瞬態(tài)過程中漏極－源極電壓的變化率），從而在電容 Cgd （米勒電容）中產(chǎn)生位移電流( igd)。
這個位移電流流經(jīng)Rg，M2后就會在Vg上產(chǎn)生一個電壓尖峰（Vspk)。如果這個電壓尖峰超過了MOSFET的開通閾值，MOSFET就會被開通，從而導致電路直通甚至損壞。
2、線路上的寄生電感引起
如圖所示，Ls是MOSFET源極上的寄生電感。當MOSFET快速關斷時，電流（ids）迅速的減小產(chǎn)生較高的di/dt，從而在Ls的兩端產(chǎn)生一個負的電壓（VLS）。這個VLS電壓如果超過了MOSFET的門極閾值，MOSFET就會被誤開通。
避免驅(qū)動誤開通的方法
1.門極電阻、電容法
調(diào)整門極驅(qū)動電阻和電容
通過調(diào)節(jié)門極驅(qū)動電阻和電容的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關斷速度：增大門極驅(qū)動電阻和電容來減慢MOSFET開通/關斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電壓尖峰。
為了避免功率管的誤開通，常用的方法是通過調(diào)整門極驅(qū)動的電阻和電容。
2.米勒鉗位法
為了有效的抑制由于米勒效應帶來的門極誤開通，可以在靠近功率管的門極處放一個三極管來防止在關斷期間的誤開通。
在關斷期間，由于Vds較高的dv/dt使Vg電壓升高，此時Q1會導通，從而將Vg電壓拉低防止誤開通MOSFET。在實際的應用中要注意PCB布線的影響，Q1要盡量的靠近功率MOSFET以減小Q1、MOSFET門極和源極之間的環(huán)路，從而降低整個環(huán)路路上的阻抗。
3.負壓驅(qū)動法
米勒鉗位電路能夠有效的抑制由于米勒效應引起的門極電壓尖峰，但是對于由于寄生電感引起的誤開通，米勒鉗位電路有時就不是非常的有效，此時給驅(qū)動提供負電壓是一個比較好的解決辦法。
對于驅(qū)動電路中的誤開通，需要根據(jù)實際的情況進行分析并加以解決。
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