自舉式電路在高電壓柵極驅(qū)動電路中是很有用的。
當(dāng) VS 降低到 IC 電源電壓 VDD 或下拉至地時 ，（低端開關(guān)導(dǎo)通，高端開關(guān)關(guān)斷）
電源 VDD 通過自舉電阻RBOOT，和自舉二極管DBOOT，對自舉電容CBOOT，進行充電。
當(dāng) 高端開關(guān)將VS 上拉到一個較高的電壓時，由 VBS 對自舉電容放電，此時VBS 電源浮動，自舉二極管反向偏置，軌電壓 （低端開關(guān)關(guān)斷，高端開關(guān)導(dǎo)通）和 IC 電源電壓 VDD，被隔離開。
以上就是自舉式電路在高電壓柵極驅(qū)動電路的工作原理。
當(dāng)輸入電平不允許高端 N MOS或 IGBT 使用直接式柵極驅(qū)動電路時，我們就可以考慮自舉式柵極驅(qū)動技術(shù)。
它經(jīng)常用作柵極驅(qū)動和伴發(fā)偏置電路，兩者都以主開關(guān)器件的源極作為基準。
自舉式電路具有簡單。低成本的優(yōu)勢。
但也存在一些缺點，占空比和導(dǎo)通時間會受到自舉電容的限制。并且，在開關(guān)器件關(guān)斷時，源極的負電壓會使負載電流突然流經(jīng)續(xù)流二極管，隨后給柵極驅(qū)動電路的輸出端造成麻煩。
此外，如果電容過小，自舉電容在上管開通時下降紋波過大，降低電容的使用壽命，開關(guān)管損耗變高，開關(guān)可靠性也變低；
如果電容值過大，自舉電容的充電時間減少，低端導(dǎo)通時間可能不足以使電容達到自舉電壓。
這種情況就需要在PWM算法上做特定占空比補償或者獨立電源供應(yīng)。
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