20G10,20G10場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù),N+P場(chǎng)效應(yīng)管20G10,20G10代換
20G10場(chǎng)效應(yīng)管,N+PMOS管20G10參數(shù)資料,20G10引腳圖,20G10中文資料規(guī)格書PDF
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20G10 PDFN5*6封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
20G10場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN+PNP
NPN極參數(shù)如下:
NPN極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：15A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：3.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=10V： Typ 65mΩ Max 90mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=3A,VGS=4.5V：Typ 75mΩ Max 105mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
PNP極參數(shù)如下:
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：-100V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±20V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：-7A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：3.5W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-3A,VGS=-10V： Typ 180mΩ Max 220mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=-2A,VGS=-4.5V：Typ 210mΩ Max 255mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
20G10場(chǎng)效應(yīng)管PDFN5*6-8L封裝尺寸：
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