正、負溫度系數(shù)概念闡述
MOSFET 的導通電阻 Ron 與溫度之間的關系呈現(xiàn)出兩種不同的溫度系數(shù)特性。正溫度系數(shù)表現(xiàn)為導通電阻 Ron 隨管子溫度的升高而增大；而負溫度系數(shù)則恰恰相反，導通電阻 Ron 會隨著管子溫度的上升而減小。
MOSFET 轉移特性與溫度系數(shù)
通過分析 MOSFET 的轉移特性曲線，可以觀察到在 25℃和 150℃兩條曲線存在一個交點。該交點對應的 VGS 與電流 ID 曲線中存在一個溫度系數(shù)為 0 的電壓值 2.7V，這一特定電壓值被稱為零溫度系數(shù)點（ZTC）。當 VGS 高于 2.7V 時，溫度升高會導致電流減小，此時功率 MOSFET 的 RDS(ON) 展現(xiàn)出正溫度系數(shù)特性；而當 VGS 低于 2.7V 時，溫度升高則會使電流增大，功率 MOSFET 的 RDS(ON) 呈現(xiàn)負溫度系數(shù)特性。
MOSFET 負溫度系數(shù)特性體現(xiàn)
MOSFET 的負溫度系數(shù)特性主要在閾值電壓（Vgs(th)）和導通電阻（Rds(on)）方面有所體現(xiàn)。
閾值電壓 Vgs（th）的負溫度系數(shù)特性
MOSFET 的閾值電壓 Vgs（th）具有明顯的負溫度系數(shù)，即隨著溫度的升高，閾值電壓逐漸降低。這一現(xiàn)象的原因在于溫度上升時，半導體材料中的載流子濃度增加，溝道中的載流子更容易受到柵極電場的吸引，從而使得閾值電壓值下降。在高溫環(huán)境下，這種特性有利于 MOSFET 的導通，但同時也可能引發(fā)電路的不穩(wěn)定問題，因此在電路設計過程中，必須充分考慮溫度變化對閾值電壓的影響。
對于本征半導體而言，其載流子濃度 ni 隨溫度變化的規(guī)律遵循特定的物理公式。
其中，NC 和 Nv 分別代表導帶有效態(tài)密度和價帶有效態(tài)密度，Eg 為禁帶寬度，k0 是玻爾茲曼常數(shù)，T 表示絕對溫度。從公式可以看出，隨著溫度 T 的升高，指數(shù)項 exp (- 2k0TEg) 的值會不斷增大，進而導致本征載流子濃度 ni 快速上升。
其中，NC 和 Nv 分別代表導帶有效態(tài)密度和價帶有效態(tài)密度，Eg 為禁帶寬度，k0 是玻爾茲曼常數(shù)，T 表示絕對溫度。從公式可以看出，隨著溫度 T 的升高，指數(shù)項 exp (- 2k0TEg) 的值會不斷增大，進而導致本征載流子濃度 ni 快速上升。
導通電阻 Rds(on) 的正溫度系數(shù)特性
與閾值電壓的負溫度系數(shù)不同，MOSFET 的導通電阻 Rds(on) 通常表現(xiàn)出正溫度系數(shù)特性。也就是說，隨著溫度的升高，導通電阻會相應增加。這種特性會導致在高溫條件下，漏極電流減小，漏極功耗增加，同時漏 - 源極之間的壓降也會升高。不過，這種正溫度系數(shù)特性有助于在高溫環(huán)境下維持相對穩(wěn)定的導通特性，但這也要求我們必須合理設計散熱措施和電路布局，以應對這種特性帶來的變化。
通過對 MOSFET 負溫度系數(shù)及其相關特性的深入分析，我們可以更好地理解其在不同溫度環(huán)境下的工作狀態(tài)，從而在實際的電子電路設計與應用中，充分利用其特性，優(yōu)化電路性能，確保電子設備在各種工況下都能穩(wěn)定可靠地運行。
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